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ST推出电容和占位面积极小的保护器件北京

北京    
2022年10月11日
ST推出电容和占位面积极小的保护器件
摘要:意法半导体推出一款体积只有1.0 x 1.45 x 0.65mm的微型ESD(静电释放)保护器件USBULC6-2M6,这款QFN-6封装的产品尺寸极小,能够满足高速USB接口对完整ESD保护功能(包括电源|稳压器电压Vbus)的全部要求。由于在240MHz时最大电容只有0.85pF,USBUL

意法半导体推出一款体积只有1.0 x 1.45 x 0.65mm的微型ESD(静电释放)保护器件USBULC6-2M6,这款QFN-6封装的产品尺寸极小,能够满足高速USB接口对完整ESD保护功能(包括电源|稳压器电压Vbus)的全部要求。由于在240MHz时最大电容只有0.85pF,USBULC6-2M6能够最大限度地降低失真,有助于工程师设计达到480 Mbps传输速率所要求的10pF最大额定线路负载。紧凑的占位面积和超薄的封装使USBULC6-2M6特别适用于手机、手持电脑、个人媒体播放器以及其它要求IEC61000-4-2保护功能的便携高速通信设备。新产品达到IEC第四级保护标准的15kV空气放电和8kV接触放电等级,击穿电压 6.1V。此外,0.5μA的最大漏电流有助于降低功耗,延长电池使用时间。在电路内部,USBULC6-2M6是为最大化信号透明度而优化设计的;为简化电路板布局,保护整个数据线的阻抗匹配度,新产品还在外部提供一个直通引脚连接方式。通过组成两个互补性的保护型二极管网络,把电容匹配度控制在0.1pF内,USBULC6-2M6可用于保护各种高速差分和单端传输信号的应用。在3GHz频率时,额定插入损耗为零,这个特性允许新产品用于千兆以太网以及未来的高速通信协议。与其它的ESD保护产品如金属氧化物变阻器相比,新产品的钳位电压极低,能够为100nm以下的CMOS芯片提供更好的保护功能。USBULC6-2M6现已上市。

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